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EBAC/RCI 原理和應用-Kleindiek EBIC放大器

更新時間:2024-11-15點擊次數:1854

EBACElectron Beam Absorbed Current

RCIResistive Contrast Imaging

芯片工藝進入 55 納米/65 納米技術節點后,EBAC 技術被引入并得到迅速發展。現如今,EBACRCI已成為芯片失效分析(failure analysis, FA)的主要工具之一,用于IC線路的短路,斷路,高阻缺陷的隔離和精確定位。

原理:

為了探測芯片的特定電路區域,EBAC 系統配備了納米探針和掃描電子顯微鏡 (SEM)。當電子束primary electron beam)穿透樣品表面時,電子流可通過金屬探針吸收,經放大器放大,并通過SEM形成 EBAC 圖像。

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電子流的穿透深度取決于掃描電鏡的加速電壓acceleration voltage和樣品的材料特性。電子束吸收電流流入金屬/通孔(Metal/Via)結構,然后由探頭測量。如果金屬/通孔鏈斷裂或打開,則可通過疊加在SEM圖像上的EBAC圖像的突然變化來精確定位定位。

對于某些高電阻結構(部分于通孔連接),單個探針無法定位此類缺陷。因此,在 EBAC 技術中需要兩個探頭,即電阻對比成像(Resistive contrast imagingRCI)。


結果:

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